[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200810095288.X | 申请日： | 2008-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101577243A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;刘献文;蔡子敬 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8247;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种抗紫外线、抗漏电的半导体结构及其制作方法，其特征在于使用非晶硅取代已知技术中所使用的富氧硅层或超富氧硅层，以改善蚀刻控制问题。本发明另一特征在于接触洞内使用氮化硅间隙壁，以解决导电层漏电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包含有：提供基底，包含导电层；于该导电层上形成介电层，其中该介电层至少包含有非晶硅层；于该介电层中形成接触洞，以暴露出部分的该导电层；以及于该接触洞内形成接触插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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