[发明专利]降低存储器漏电流的方法无效
| 申请号： | 200810095832.0 | 申请日： | 2008-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101572121A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张全仁 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4094 | 分类号： | G11C11/4094;G11C7/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 亮 |
| 地址： | 台湾省桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低存储器漏电流的方法，适用于一存储器，此存储器包括：存储单元(memory cell)、等位电路、限流单元(current limiter)、字线与一对互补位线。当存储单元进入预充电模式后，等位电路与限流单元正常操作以对此对互补位线进行预充电操作。然后施加周期性控制信号于限流单元，以控制限流单元的导通或不导通。当限流单元不导通时，存储器的待机漏电流(leakagecurrent)会被阻绝或降低。此待机漏电流由字线与此对互补位线间的短路所造成。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 存储器 漏电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低存储器漏电流的方法，适用于一存储器，该存储器包括：至少一存储单元、一等位电路、一限流单元、一字线与一对互补位线，该方法包括：令该存储单元进入一预充电模式；令该等位电路与该限流单元正常操作，以对该对互补位线进行一预充电操作；施加一周期性控制信号于该限流单元以控制该限流单元的导通或不导通，其中该限流单元的不导通降低该存储器的一待机漏电流，该待机漏电流由该字线与该对互补位线间的短路所造成。
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