[发明专利]半导体激光器的制造方法有效
| 申请号： | 200810096314.0 | 申请日： | 2008-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101262119A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 中村仁志;阿部真司;西口晴美 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01L21/301 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够在期望的位置上劈开晶片的半导体激光器的制造方法。在GaN晶片(11)上形成设置了多个脊部(13)的半导体层。在脊部(13)和划线标记(16)之间，与划线标记(16)在同一条直线上设置槽(19)。槽(19)相对于划线标记(16)设置在劈开方向的下流侧上。槽(19)成劈开方向的下流侧端部向外侧凸出的形状，优选该形状的顶点位于要劈开的线上，同时从该顶点延伸的轮廓线不与劈开方向成60度的方向平行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器的制造方法，包括：在GaN基板上形成设置了多个脊部的半导体层的工序、从所述半导体层的侧面在所述GaN基板上隔着规定的间隔设置多个切痕的工序、和沿着所述切痕劈开所述GaN基板的工序，其特征在于，在所述劈开工序之前，在所述半导体层上在各个所述多个脊部和所述多个切痕之间设置与所述多个切痕在同一条直线上的至少一个槽。
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