[发明专利]半导体装置的熔丝修整方法有效
| 申请号： | 200810096679.3 | 申请日： | 2008-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101281885A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 塚本明子;小山内润 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的熔丝修整方法，该半导体装置在半导体晶片上形成晶体管或电阻等电路元件，并具有能够利用激光微调对所述电阻元件的电阻值进行调整的熔丝元件，该方法的特征在于包括电阻校正步骤，在所述半导体晶片的特定区域，基于所述电阻元件的电阻值与目标值的偏差进行校正。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 修整 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的熔丝修整方法，该半导体装置在半导体晶片上形成晶体管或电阻等电路元件，并具有能够利用激光微调对所述电阻元件的电阻值进行调整的熔丝元件，该方法的特征在于，包括电阻校正步骤，在所述半导体晶片的特定区域，基于所述电阻元件的电阻值与目标值的偏差进行校正。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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