[发明专利]掩模的布局方法、半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810097074.6 | 申请日： | 2008-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101304026A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李相熙;曹甲焕 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/146;H01L23/00;H01L21/00;H01L21/82;G03F1/14 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种掩模的布局方法，以及利用根据题述掩模的布局方法所产生的掩模的半导体器件及其制造方法。该半导体器件可包括：微透镜主图案，位于衬底上；以及微透镜虚设图案，处在所述微透镜主图案的一侧。利用题述掩模的布局方法产生的掩模可以形成多个微透镜虚设图案。根据题述掩模的布局方法的实施例，可通过形成基底虚设图案并且从该基底虚设图案去除边缘区域产生微透镜虚设图案。可将微透镜虚设图案产生为具有大体圆形形状。在一个实施例中，该大体圆形形状为八边形。 | ||
| 搜索关键词： | 布局 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：微透镜主图案，位于衬底上；以及微透镜虚设图案，位于所述衬底上，处在所述微透镜主图案的一侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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