[发明专利]分离半导体及其基板的方法无效
| 申请号： | 200810097860.6 | 申请日： | 2008-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101587822A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 林文禹;黄世晟;涂博闵;徐智鹏;詹世雄 | 申请（专利权）人： | 先进开发光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种分离半导体及其基板的方法，其主要目的为形成多个柱体于基板上，并在多个柱体上外延生长半导体层，并通过注入蚀刻液于多个柱体间的空隙，以分离半导体层及其基板。由于多个柱体间的空隙可大幅增加蚀刻的反应面积，因此本发明提出的方法可加强蚀刻分离半导体层与基板的效率，亦可降低工艺上的花费，并且所用基板的材料并不受上述的分离方法限制。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 半导体 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分离半导体及其基板的方法，包含下列步骤：以基板的柱阵列生长半导体层；以及对该柱阵列进行湿蚀刻以分离该半导体层与该基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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