[发明专利]影像显示系统及其制造方法无效
申请号: | 200810098788.9 | 申请日: | 2008-05-29 |
公开(公告)号: | CN101593730A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 刘侑宗;李淂裕 | 申请(专利权)人: | 统宝光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;H01L27/144;H01L27/32 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 翟 羽 |
地址: | 台湾省苗栗县新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种影像显示系统及其制造方法。依据本发明,影像显示系统可包含基板、开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、光感测组件及电容。基板上形成缓冲层,于预定形成该开关薄膜晶体管的第一区域无导热层形成,即形成隔离层;而于预定形成该驱动薄膜晶体管、光感测组件与电容的第二区域形成一导热层后,形成隔离层。本发明能以单一结晶化制程利用导热层的存在与否,及准分子激光退火法的热传导现象,而使第一区域及第二区域分别形成晶粒尺寸不同的多晶硅层。从而使有本发明的影像显示系统具有良好的发光均匀性。 | ||
搜索关键词: | 影像 显示 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种影像显示系统的制造方法,其特征在于:该方法包含下列步骤:提供一基板,具有一第一区域和一第二区域;在该基板的第一区域和第二区域上形成一缓冲层;在该第二区域的缓冲层上形成一导热层;在该第二区域的导热层上形成一隔离层;在该第一区域的缓冲层上以及该第二区域的隔离层上形成一非晶硅层;通过一结晶化制程使该第一区域与该第二区域的非晶硅层分别形成具有不同晶粒特性的第一多晶硅层及第二多晶硅层;在该第一区域上形成一开关薄膜晶体管,其包括该第一多晶硅层;以及在该第二区域上形成一驱动薄膜晶体管,其包括该第二多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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