[发明专利]具垂直电性导通的三维堆叠芯片封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810099339.6 | 申请日： | 2008-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101587875A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 林俊德;郭子荧;张恕铭 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具垂直电性导通的三维堆叠芯片封装结构及其制造方法，是利用硅片贯通孔技术在该三维堆叠芯片封装结构中形成至少一垂直贯穿孔，以建立该三维堆叠芯片封装结构垂直方向的电性连接，并且利用垫片上盲孔及这些贯穿孔之间重布线的设计，将该三维堆叠芯片封装结构的电性从一第一表面导引至相对的一第二表面。此外，本发明利用导电倒装包覆这些芯片之间彼此接合的垫片，防止这些垫片断裂，进而提高该三维堆叠芯片封装结构的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 电性导通 三维 堆叠 芯片 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具垂直电性导通的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：一芯片，具有至少一导电性垫片、至少一贯通孔及至少一盲孔，其中所述导电性垫片形成于所述芯片的一第一表面上，所述贯通孔贯穿所述导电性垫片及所述芯片，及所述盲孔形成于所述导电性垫片上方；一绝缘层形成于所述贯通孔及盲孔周壁以及所述芯片的所述第一表面及其相对的一第二表面上；一电性连接层，形成于所述绝缘层上并填塞所述贯通孔及盲孔，以将所述芯片的电性从所述第一表面导引至所述第二表面；及至少一导电性硬质掩膜图案层，个别形成于所述芯片的所述第一表面及所述第二表面的所述电性连接层上。
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