[发明专利]具有超结结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810099508.6 | 申请日： | 2008-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101308875A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 柴田巧;山内庄一 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件(201，202)包括：具有(110)取向的表面的硅衬底(1a)；设置在(110)取向的表面上的PN柱层(30a)；设置在PN柱层(30a)上的沟道形成层(3)；设置在沟道形成层(3)的表面部分处的多个源极区(4)；以及穿透沟道形成层(3)的栅电极(40a，40b)。PN柱层(30a)包括具有第一导电类型的第一柱(2n)和具有第二导电类型的第二柱(2p)，以第一柱(2n)分别在(111)取向的表面上接触第二柱(2p)的方式交替设置它们。栅电极(40a，40b)分别与源极区(4)邻接，并且栅电极(40a，40b)中的每一个具有在硅衬底(1a)的平面内与第一柱(2n)和第二柱(2p)的接触表面相交的侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件(201，202)，包括：硅衬底(1a)，其具有第一导电类型，具有(110)取向的表面，并且提供漏极区；PN柱层(30a)，其由硅外延层构成，并且包括多个具有所述第一导电类型的第一柱(2n)和多个具有第二导电类型的第二柱(2p)，其中所述第一柱(2n)和所述第二柱(2p)中的每一个具有近似于长方体的形状，并且以使所述多个第一柱(2n)分别在(111)取向的表面上接触所述多个第二柱(2p)的方式，在所述硅衬底(1a)的平面方向上在所述硅衬底(1a)的(110)取向的表面上交替设置所述多个第一柱(2n)和所述多个第二柱(2p)；沟道形成层(3)，其由硅层构成，具有所述第二导电类型，并且设置在所述PN柱层(30a)上；多个源极区(4)，其具有所述第一导电类型，并且设置在所述沟道形成层(3)的表面部分处；以及多个栅电极(40a，40b)，其具有近似于长方体的形状，其设置成穿透所述沟道形成层(3)，并且其设置成分别与所述多个源极区(4)邻接，其中所述栅电极(40a，40b)中的每一个具有在所述硅衬底(1a)的平面内与所述多个第一柱(2n)和所述多个第二柱(2p)的接触表面相交的侧表面。
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