[发明专利]叠层基板的裁切方法、半导体器件及其制法、发光装置无效
| 申请号： | 200810099517.5 | 申请日： | 2008-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101308801A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 太田清久 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L33/00;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种对在正面形成有第一金属层且在反面形成有第二金属层的叠层基板进行裁切而不发生毛刺的裁切方法。该裁切方法是裁切在其正面形成金属层并在其反面形成反面电极的叠层基板的方法，包括分别从上述金属层侧以及从上述反面电极侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤，从上述金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述反面电极进行裁切的切口宽度不同。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层基板 方法 半导体器件 及其 制法 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种叠层基板的裁切方法，该叠层基板的正面形成有第一金属层且反面形成有第二金属层，该叠层基板的裁切方法包括分别从上述第一金属层侧和上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤；从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度相互不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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