[发明专利]光掩模的检查方法、光掩模的制造方法、电子部件的制造方法、测试掩模及测试掩模组有效
申请号: | 200810099966.X | 申请日: | 2008-05-29 |
公开(公告)号: | CN101315518A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 中西胜彦;吉田光一郎 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及光掩模的检查方法、光掩模的制造方法、电子部件的制造方法、测试掩模及测试掩模组。其中,使用测试掩模进行曝光、显影而得到测试用抗蚀图形,对其进行测量得到实际曝光测试图形数据。另外,在规定的光学条件下对测试掩模进行光照射通过摄像装置取得光透射图形,再基于得到的光透射图形得到光透射测试图形数据。对实际曝光测试图形数据和光透射测试图形数据进行比较,基于这一比较结果设定光学条件,再基于对作为检查对象的光掩模进行光照射而得到的光透射图形进行光掩模的检查。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 检查 方法 制造 电子 部件 测试 模组 | ||
【主权项】:
1、一种光掩模的检查方法,该光掩模为了使在要被蚀刻加工的被加工层上形成的抗蚀膜成为所述蚀刻加工中的掩模的抗蚀图形,被用来对所述抗蚀膜进行规定图形的曝光,该光掩模的检查方法具有下述工序:使用形成有规定测试图形的测试掩模,对测试用抗蚀膜进行曝光,从而得到显影后的测试用抗蚀图形的工序;对所述测试用抗蚀图形、或者以该测试用抗蚀图形为掩模而蚀刻所述被加工层所得到的测试用被加工层图形进行测量,得到实际曝光测试图形数据的工序;以规定的光学条件对所述测试掩模进行光照射,通过摄像装置取得该测试掩模的光透射图形,根据得到的光透射图形得到光透射测试图形数据的工序;对所述实际曝光测试图形数据和所述光透射测试图形数据进行比较的工序;和以与所述规定的光学条件相同的或者不同的条件对作为检查对象的光掩模进行光照射,并通过所述摄像装置得到该检查对象光掩模的光透射图形的工序;根据由所述比较工序得到的比较结果和所述检查对象光掩模的光透射图形,对作为所述检查对象的光掩模进行评价。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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