[发明专利]聚合物薄膜中的自对准通孔的制造有效
| 申请号： | 200810100032.3 | 申请日： | 2008-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101330130A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | S·莫哈帕特拉;K·迪姆勒;P·H·詹金斯 | 申请（专利权）人： | 惠好公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种低成本且高效的工艺在电介质聚合物膜中制造自对准通孔，所述通孔在顶导体和底导体之间提供电连接。该工艺是通过如下方式实现的：在第一图案化的导电层上印刷导电柱，随后沉积未图案化的层电介质，随后沉积第二图案化的导电层。在沉积电介质之后但在沉积第二导电层之前，在对柱进行闪光退火期间形成通孔。在该工艺中，利用闪光对柱材料进行退火，导致能量释放，这除去柱的顶部上的电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 薄膜 中的 对准 制造 | ||
【主权项】：
1、一种在电介质层中制造自对准通孔的方法，包括：通过在每个通孔的位置形成柱，而在所述电介质层上面的第一导电层和所述电介质层下面的第二导电层之间提供电接触。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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