[发明专利]制造记忆体的方法、记忆装置及操作存取记忆装置的方法

摘要

本发明是有关于一种制造记忆体的方法、记忆装置及操作存取记忆装置的方法，是揭露一种具有至少一多阶记忆单元的记忆装置，以及每一多阶记忆单元被组设来储存n个位元(而n是一整数)，其中该复数位元是储存至一电荷储存层，而藉由施加一电压来设定或重置该记忆单元的临界电压Vt至2ⁿ阶层之一，来捕捉注射出的电荷载子。每一记忆单元可以程式化至一复数个2ⁿ阶层之一，其中每一阶层代表n个位元。本发明的制造记忆体的方法，尤其可以用来制造挥发性记忆体。本发明的新的记忆装置，尤其可以利用于挥发性记忆体。本发明的操作存取记忆装置的方法，可以用来操作上述的记忆装置，能够达成在记忆单元中储存多位元的方法。

主权项

1、一种制造记忆体的方法，其特征在于其包括以下步骤：一基板；一电荷储存层，形成于该基板之上与该基板直接接触；一绝缘层，形成于该电荷储存层之上；以及一多晶硅层，形成于该绝缘层之上。