[发明专利]TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810101107.X | 申请日： | 2008-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101520580A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 张弥;王章涛 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法，阵列基板结构包括形成在基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极，并在交叉处形成薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极层和钝化层，还包括间断设置在数据线之间且与像素电极形成存储电容的公共电极线，公共电极线与源漏电极层同层设置，并通过连接电极相互连接。同现有技术TFT-LCD阵列基板结构相比，在相同的公共电极线宽度时，本发明形成的存储电容会有明显的提高，在相同的存储电容大小时，本发明公共电极线的宽度小，增大了开口率，同时公共电极线使段差得到降低，有利于TFT-LCD对比度的提高。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 板结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种TFT-LCD阵列基板结构，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极，并在交叉处形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极层和钝化层，其特征在于，还包括间断设置在所述数据线之间且与所述像素电极形成存储电容的公共电极线，所述公共电极线与所述源漏电极层同层设置，并通过连接电极相互连接。
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