[发明专利]一种制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法无效
| 申请号： | 200810103258.9 | 申请日： | 2008-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101552207A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 黎明;张海英;付晓君;徐静波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/368 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法，该方法包括：A.在衬底上生长SiO2介质层，涂胶、前烘，RIE打底胶，采用十字或凹槽版对衬底进行光刻；B.将ZnO纳米线从原衬底上剥离，滴到场效应晶体管衬底上进行沉积，利用ZnO纳米线作为场效应晶体管的沟道；C.涂胶，进行源漏制备，蒸发金属Ti/Au与ZnO纳米线形成欧姆接触电极；D.采用溅射Al2O3后光刻胶剥离的方法形成栅氧；E.光刻栅条形成栅极。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中采用和推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 zno 纳米 场效应 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法，其特征在于，该方法包括：A、在衬底上生长SiO2介质层，涂胶、前烘，RIE打底胶，采用十字或凹槽版对衬底进行光刻；B、将ZnO纳米线从原衬底上剥离，滴到场效应晶体管衬底上进行沉积，利用ZnO纳米线作为场效应晶体管的沟道；C、涂胶，进行源漏制备，蒸发金属Ti/Au与ZnO纳米线形成欧姆接触电极；D、采用溅射Al2O3后光刻胶剥离的方法形成栅氧；E、光刻栅条形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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