[发明专利]半透明半反射式液晶显示器阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200810103725.8 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101556414A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 董敏 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 申 健 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半透明半反射式液晶显示器阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示器技术领域。解决了现有半透明半反射式液晶显示器阵列基板制造工艺复杂的问题。该半透明半反射式液晶显示器阵列基板，包括透明区和反射区；有源层形成于栅电极上方的栅极绝缘层上，浮凸层形成于反射区内的栅极绝缘层上；源电极和漏电极形成于有源层上方，呈凹凸结构的反射层形成于浮凸层上方。该半透明半反射式液晶显示器阵列基板的制造方法，在栅电极上方的栅极绝缘层上形成有源层，在反射区内的栅极绝缘层上形成浮凸层；在有源层上方形成源电极和漏电极，在浮凸层上方形成呈凹凸结构的反射层；本发明主要应用于液晶显示装置中。 | ||
| 搜索关键词： | 半透明 反射 液晶显示器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半透明半反射式液晶显示器阵列基板，包括透明区和反射区；其特征在于：所述阵列基板包括：一衬底；栅电极，形成于所述衬底之上；栅极绝缘层，形成于在所述栅电极以及所述衬底之上；有源层形成于栅电极上方的栅极绝缘层上，浮凸层形成于所述反射区内的栅极绝缘层上；源电极和漏电极形成于所述有源层上方，呈凹凸结构的反射层形成于所述浮凸层上方；钝化层形成于所述反射层、源电极、漏电极以及栅极绝缘层上，所述漏电极上方的钝化层上形成有钝化层过孔或沟槽；像素电极层形成在所述钝化层上，所述像素电极层通过所述钝化层过孔或沟槽与所述漏电极相连接。
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