[发明专利]去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法有效
| 申请号： | 200810103788.3 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101556439A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 宋勇志 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36;G02F1/1337;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，包括：步骤1.在设定的特征参数下，利用一组气体与模拟基板上聚酰亚胺膜发生第一次反应；步骤2.在设定的特征参数下，利用氧气的等离子体与所述第一次反应后的残余物发生第二次反应；所述特征参数包括高频电源功率、压力以及所述选择的气体流量。本发明选用O2 plasma与模拟基板上的PI膜进行第二次反应，不仅能完全去除PI膜残余物，而且不破坏模拟基板上的ITO层，防止ITO层龟裂产生碎片，同时还可有效去除模拟基板上的静电，防止模拟基板移动时发生破碎，从而提高了模拟基板的重复利用率，延长模拟基板使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 模拟 基板上 聚酰亚胺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，其特征在于，包括：步骤1、在设定的特征参数下，利用一组气体与模拟基板上聚酰亚胺膜发生第一次反应；步骤2、在设定的特征参数下，利用氧气的等离子体与所述第一次反应后的残余物发生第二次反应；所述设定的特征参数包括高频电源功率、压力以及气体流量。
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