[发明专利]InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法无效
| 申请号： | 200810104227.5 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101562132A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/306;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法，包括：A.选择合适的发射极InGaAs盖帽层厚度的HBT外延片；B.在该外延片上旋涂光刻胶；C.光刻、显影，制作发射极的图形；D.蒸发发射极金属；E.在有机溶液中剥离金属；F.用磷酸基的腐蚀液腐蚀InGaAs盖帽层；G.用盐酸基的腐蚀液腐蚀发射极InP层。本发明利用发射极InGaAs盖帽层的厚度来控制发射极的侧向腐蚀，InGaAs层的厚度由MBE等外延生长设备进行控制，精度非常高，因此侧向腐蚀的可控性好。同时，本发明避免干法刻蚀造成的损伤，避免因干法刻蚀造成的器件性能退化，并避免价格昂贵的干法刻蚀设备，有效地节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | ingaas inp hbt 中亚 微米 发射极 湿法 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种InGaAs/InP异质结双极性晶体管HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法，其特征在于，该方法包括：A、选择合适的发射极InGaAs盖帽层厚度的HBT外延片；B、在该外延片上旋涂光刻胶；C、光刻、显影，制作发射极的图形；D、蒸发发射极金属；E、在有机溶液中剥离金属；F、用磷酸基的腐蚀液腐蚀InGaAs盖帽层；G、用盐酸基的腐蚀液腐蚀发射极InP层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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