[发明专利]一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法有效
| 申请号： | 200810105714.3 | 申请日： | 2008-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101319385A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 沈德忠;黄朝恩;师瑞泽;胡永岚;肖亚波;王国影;高山虎;葛世艳;苏贞珍;尹利君;王忠;何庭秋 | 申请（专利权）人： | 烁光特晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B29/14;C30B9/00;C30B11/14 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100018*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法，包括步骤：A)制作长X向片状籽晶：从可获得的X向最长的KTP原晶坯料中沿XZ平面切割籽晶片，在X向最长位置垂直于Z向加工一YZ平面，然后在该YZ平面沿X方向的中心线向两端的XZ平面倒角，形成的顶角α的范围在0°＜α≤180°之间，并细磨倒角面以作为籽晶生长面；B)将籽晶按照籽晶的生长面浸入到熔液中的方式下种，进行晶体的生长。本发明选用长X向线籽晶来达到控制晶体生长过程中选择性生长的速率问题，可采用粗糙化X面生长进一步延长籽晶X向长度，且生成晶体的X向折射率和电导率均匀性较普通助熔剂生长方法大为提高，生长成的晶体适于制作高质量光参量器件和PPKTP器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适于 制作 ppktp 器件 ktp 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法，其特征在于包括以下步骤：A)长X向片状籽晶制作：从可获得的X向最长的KTP原晶坯料中平行XZ平面切割籽晶片，在X向最长位置垂直于Z向加工一YZ平面，然后在该YZ平面沿X方向的中心线向两端的XZ平面倒角，形成的顶角α的范围在0°＜α≤180°之间，并细磨倒角面以作为籽晶生长面；B)将籽晶的生长面浸入到熔液中的方式下种，进行晶体的生长；所述生长熔液中KTP与磷酸盐助熔剂中的K6的比例可选择KTP∶K6为摩尔比0.7-2之间。
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