[发明专利]多晶硅的冶金提纯方法无效
| 申请号： | 200810105851.7 | 申请日： | 2008-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101318656A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈红雨;罗绮雯;李核;叶其辉 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 510006广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅的冶金提纯方法，特别是一种能够降低影响电池效率的硼、磷含量的纯化技术，在造渣氧化过程中添加氧化钠以及石灰、萤石，通过置换反应将硼以及磷形成氧化物以溶于渣中，并通过加入萤石降低熔融的温度，在稀酸浸出过程溶解造渣剂、氧化性酸氧化溶解硼化物以及过渡区金属化合物，再通过氢氟酸以及硼的络合剂的作用，腐蚀硅表面的同时将硼杂质在络合剂作用下从硅颗粒表面萃取到溶剂中。本方法能耗低、无污染，且能提高多晶硅纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 冶金 提纯 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅的冶金提纯方法，其特征在于，包括步骤：首先进行造渣处理，向金属硅中加入碱性造渣剂并混合后，在Ar惰性气体1000～1600℃的环境中处理20～30分钟，所述碱性造渣剂与金属硅的质量比为0.15～0.25；然后，将经过造渣处理后的金属硅磨成粉，并进行去油处理；之后，将进行去油处理后的硅粉进行酸浸处理。
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