[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200810105900.7 | 申请日： | 2008-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101577230A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 李煜;居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底中形成阱区；在阱区上形成栅极介质层和栅极，在栅极侧壁形成侧壁层；对侧壁层侧壁的阱区执行第一步离子注入，在栅极侧壁的阱区中形成源极和漏极；在第一步离子注入工艺之后，执行第二步离子注入；第二步和第一步离子注入的离子同为N型或P型；第二步离子注入的注入能量大于第一步的能量，剂量小于第一步离子注入的剂量；还包括：在形成栅极介质层之前，形成阱区之后，对阱区执行预掺杂工艺，用于中和第二步离子注入工艺中穿透所述栅极介质层而进入N阱区的离子。本发明可减小形成的器件源、漏极的结电容，且能够改善由于掺杂离子击穿栅极介质层引起的半导体器件的稳定性下降的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底中形成阱区；在所述阱区上形成栅极介质层和栅极，在所述栅极侧壁形成侧壁层；对所述侧壁层侧壁的阱区执行第一步离子注入，在所述栅极侧壁的阱区中形成源极和漏极；在第一步离子注入工艺之后，执行第二步离子注入；其中，所述第二步离子注入工艺中注入的离子与第一步注入的离子同为N型或P型；所述第二步离子注入工艺的注入能量大于所述第一步能量，剂量小于所述第一步的剂量；其中，在形成栅极介质层之前，形成阱区之后，进一步包括对所述阱区执行预掺杂工艺，用于中和抵消所述第二步离子注入工艺中穿透所述栅极介质层而进入N阱区的离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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