[发明专利]抗静电氮化镓发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810106851.9 | 申请日： | 2008-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101271916A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 熊传兵;江风益;王立;王古平;章少华 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L23/60;H01L33/00;H01L21/82 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种抗静电氮化镓发光器件及其制造方法，该发光器件具有较好的抗静电能力，在一定程度上避免静电对发光器件的损坏。该发光器件包括发光薄膜、分别形成在发光薄膜上面和下面的第一电极和第二电极，所述发光器件还包括形成在所述第一电极中或者所述第二电极中的大电子迁移率电感线圈；所述大电子迁移率电感线圈形成在所述发光薄膜的上面或下面，或者第一电极中的导电体层上面或下面，或者第二电极中的导电体层上面或下面；所述大电子迁移率电感线圈材料的电子迁移率大于与之接触导电体层材料的电子迁移率。本发明主要用于防止静电对半导体发光器件的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 抗静电 氮化 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种抗静电氮化镓发光器件，包括发光薄膜、分别形成在发光薄膜上面和下面的第一电极和第二电极，其特征在于：所述发光器件还包括形成在所述第一电极中或者所述第二电极中的大电子迁移率电感线圈；所述大电子迁移率电感线圈形成在所述发光薄膜的上面或下面，或者第一电极中的导电体层上面或下面，或者第二电极中的导电体层上面或下面；所述大电子迁移率电感线圈材料的电子迁移率大于与之接触导电体层材料的电子迁移率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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