[发明专利]半导体发光器件的抗静电结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体发光器件的抗静电结构和及其制造方法，用来提高半导体发光器件的抗静电性能。其结构采用如下技术方案：包括发光薄膜、发光薄膜上面的出光面上形成的第一欧姆接触层、发光薄膜下面形成的第二欧姆接触层和电感线圈，发光薄膜、电感线圈、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层形成电串联连接。本发明提出的方法包括：形成绝缘层：在发光薄膜有电串联关系的导电层上面形成绝缘层，并在绝缘层上形成窗口孔；形成电感线圈：在绝缘层上面形成电感线圈，并使电感线圈与发光薄膜或所述导电层在窗口孔处相连接。相比现有技术，本发明电感线圈产生的自感电动势会阻碍静电放电电流的迅速增大，从而使得发光器件获得保护。

主权项

1、一种半导体发光器件的抗静电结构，包括发光薄膜、分别形成在发光薄膜上面和下面的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，发光薄膜、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层形成电串联连接，其特征在于：所述抗静电结构还包括与所述发光薄膜电串联的电感线圈。