[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810108592.3 | 申请日： | 2008-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101315946A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 金大荣 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/792;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，尤其是用于制造硅氧化氮氧化硅元件的半导体器件及其制造方法，其摆脱包括电荷捕获层的ONO膜的平面结构，克服捕获电荷的空间限制，从而提高SONOS元件的数据保存特性的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：晶片，在活性区域中具有凹槽；以及第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜，依次形成在所述晶片的所述沟槽之上，且根据所述沟槽而具有凹凸结构。
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