[发明专利]电子元件封装体及其制作方法有效
| 申请号： | 200810108634.3 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101355043A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 徐长生;杨铭堃;黄旺根;赖志隆;钱文正 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/308;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子元件封装体及其制作方法，包括：提供一晶圆，包含多个晶粒区，以承载或形成多个晶片，所述晶片上或上方包括多个导电电极；提供一光罩并实施一光刻制程以形成一图案化光致抗蚀剂层于晶圆上，图案化光致抗蚀剂层包括多个开口，其中所述开口对应光罩的图案，该图案包括一相对较宽的第一构图，该第一构图并连结至少一个相对较窄的第二构图；以图案化光致抗蚀剂层为罩幕，对晶圆进行蚀刻，形成多个孔洞以露出所述导电电极，其中所述孔洞具有非对称性的侧壁；及移除图案化光致抗蚀剂层。本发明可通过一次性的连续蚀刻步骤，制作具有非对称性侧壁的孔洞，进而缩短制作流程及降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 封装 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子元件封装体的制作方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，包含多个晶粒区，以承载或形成多个晶片，所述晶片上或上方包括多个导电电极；提供一光罩并实施一光刻制程以形成一图案化光致抗蚀剂层于该晶圆上，该图案化光致抗蚀剂层包括多个开口，其中所述开口对应该光罩的图案，该图案包括一相对较宽的第一构图，该第一构图并连结至少一个相对较窄的第二构图；以该图案化光致抗蚀剂层为罩幕，对该晶圆进行蚀刻，形成多个孔洞以露出所述导电电极，其中所述孔洞具有非对称性的侧壁；及移除该图案化光致抗蚀剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
