[发明专利]内连线制作方法无效
| 申请号： | 200810108804.8 | 申请日： | 2008-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101315902A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 骆统;杨令武;苏金达;杨大弘;陈光钊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种内连线制作方法。首先，提供具有导电区域的半导体基材。然后，形成具有接触窗的介电层以覆盖此半导体基材，且接触窗暴露部分的导电区域。接着，对覆盖有介电层的半导体基材进行热处理。最后，形成导电层于介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 连线 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种内连线制作方法，包括：(a)提供具有导电区域的半导体基材；(b)形成具有接触窗的介电层以覆盖该半导体基材，且该接触窗暴露部分的该导电区域；(c)对覆盖有该介电层的该半导体基材进行热处理；以及(d)形成导电层于该介电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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