[发明专利]用来制造保护结构的方法有效
| 申请号： | 200810108827.9 | 申请日： | 2008-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101312157A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | A·施门;D·索卡;C·阿伦斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 德国新*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用来制造保护结构的方法，包括：提供具有第一导电类型的掺杂的半导体衬底，在半导体衬底的表面施加具有第二导电类型的掺杂的半导体层，在半导体层的第一区域中形成具有第二导电类型的掺杂的掩埋层，其中所述掩埋层制造在半导体层和半导体衬底之间的结处，在掩埋层上的半导体层的第一区域中形成具有第一导电类型的掺杂的第一掺杂剂区，在半导体层的第二区域中形成具有第二导电类型的掺杂的第二掺杂剂区，在半导体层的第一区域和第二区域之间形成电绝缘，为第一掺杂剂区和第二掺杂剂区形成公共连接装置。 | ||
| 搜索关键词： | 用来 制造 保护 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造保护结构(100，200)的方法，其中所述方法具有下列特征：提供具有第一导电类型的掺杂的半导体衬底(110)，在半导体衬底(110)的表面处施加具有第二导电类型的掺杂的半导体层(120)，在半导体层(120)的第一区域(150)中形成具有第二导电类型的掺杂的掩埋层(140)，其中所述掩埋层(140)制造在半导体层(120)和半导体衬底(110)之间的结(170)处，在掩埋层(140)上的半导体层(120)的第一区域(150)中形成具有第一导电类型的掺杂的第一掺杂剂区(180)，在半导体层(120)的第二区域(160)中形成具有第二导电类型的掺杂的第二掺杂剂区(190)，在半导体层(180)的第一区域(150)和第二区域(160)之间形成电绝缘(125)，以及为第一掺杂剂区(180)和第二掺杂剂区(190)形成公共连接装置(135)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
