[发明专利]一种绝缘结构的形成方法和半导体结构

摘要

本发明公开了一种绝缘结构的形成方法和半导体结构，具体而言披露了一种形成过路栅极的自对准绝缘结构的方法。首先提供基材，基材中包含了填有硅材料的深沟槽以及与深沟槽邻接的浅沟槽隔离，基材上依序包含图案化的衬垫氧化层与硬掩模，其中图案化的衬垫氧化层与硬掩模一起定义了深沟槽的开口。其次，进行氧化步骤，使得深沟槽的硅材表面形成第一氧化层，而作为过路栅极绝缘结构。之后，在开口中形成第一硅层以覆盖第一氧化层。接着，再移除硬掩模。

主权项

1.一种绝缘结构的形成方法，包含：提供一基材，该基材中包含填满硅的一深沟槽以及与该深沟槽邻接的一浅沟槽隔离，该基材上依序包含一图案化的衬垫氧化层与一图案化的硬掩模，其中该图案化的衬垫氧化层与该图案化的硬掩模共同定义该深沟槽的一开口；进行一氧化步骤，使得填于该深沟槽中的该硅的表面形成一第一氧化层，其中该第一氧化层作为一绝缘结构；在该开口中形成一第一硅层，其覆盖该第一氧化层；以及移除该硬掩模。