[发明专利]衰减全反射传感器无效
| 申请号： | 200810109474.4 | 申请日： | 2008-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101324522A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | K－D·安德斯;M·哈勒尔 | 申请（专利权）人： | 梅特勒－托利多公开股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘佳斐;蔡胜利 |
| 地址： | 瑞士格*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 用于确定溶解在测量介质(2)中的物质的ATR传感器(3)，以及用于对该传感器检验校准和/或执行在线校准的方法。ATR传感器包括壳体(7)和ATR体(4)。将光源(12)和检测器(13)布置在壳体中。ATR传感器的卓越之处在于：ATR体(4)具有至少一个测量表面(5)，以及平行于该测量表面布置的校准表面(10)，其中该测量表面(5)接触测量介质(2)，并且其中在壳体(7)中布置校准腔(9)，在至少一侧上，所述校准腔由校准表面(10)定界。 | ||
| 搜索关键词： | 衰减 全反射 传感器 | ||
【主权项】：
1.用于确定溶解在测量介质(2)中的物质的ATR传感器(3)，具有ATR体(4)，以及具有壳体(7)，所述壳体包括光源(12)和检测器(13)，其中所述ATR体(4)具有测量表面(5)，可以使所述测量表面与所述测量介质(2)直接接触，以及，其中所述ATR体(4)具有平行于所述测量表面(5)布置的校准表面(10)，并且其中可以使所述校准表面(10)与校准标准接触和在至少一侧上定界校准腔(9)，所述校准腔被布置在所述壳体(7)内部。
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