[发明专利]发光二极管阵列及其制造方法有效
| 申请号： | 200810110185.6 | 申请日： | 2008-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101324305A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 汉德瑞克·克拉斯·罗斯玛;皮耶特·葛德宏恩;珍·荷曼斯 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V19/00;F21V21/00;F21V9/10;F21V23/00;H01L25/00;H01L33/00;G09F9/33;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种代表性的发光二极管(LED)阵列，包含：一底座基板(BS)及多个发光二极管，每一发光二极管包含具有一第一接触层、一半导体堆叠及一第二接触层的一堆叠，半导体堆叠于第一接触层的顶部，第二接触层于半导体堆叠顶部；多个发光二极管安排于底座基板上的像素矩阵中，作为至少三类型(红(R)、绿(G)、蓝(B))的发光二极管，发光二极管根据其类型(R、G、B)而安排作为在像素矩阵中的至少一第一、第二、及第三次像素，供一个别特定的至少第一、第二及第三颜色的辐射发射；以及在基板上的互连电路，用以连接至阵列的发光二极管，供驱动每一发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管阵列，包含：一底座基板(BS)及多个发光二极管，每一所述发光二极管包含具有一第一接触层、一半导体堆叠及一第二接触层的一堆叠，所述半导体堆叠位于所述第一接触层的顶部，所述第二接触层位于所述半导体堆叠的顶部；所述多个发光二极管，安排于所述底座基板上的像素矩阵中，作为至少三类型红(R)、绿(G)、蓝(B)的发光二极管；所述发光二极管根据其类型(R、G、B)而安排为所述像素矩阵中的至少一第一、第二、及第三次像素，供一个别特定的至少第一、第二、及第三颜色的辐射发射；以及在所述底座基板上的互连电路，用以连接至所述阵列的发光二极管，供驱动每一所述发光二极管。
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