[发明专利]Q值改善的具有硅贯通孔围篱的芯片上电感器有效
| 申请号： | 200810111031.9 | 申请日： | 2008-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101404281A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 杨立群;杨明达;许昭顺 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提供芯片上电感器的绝缘的半导体结构，此半导体结构包含一半导体基材、形成于第一半导体基材上的一个或多个芯片上电感器、在一个或多个芯片上电感器的近处形成贯穿第一半导体基材的多个硅贯通孔、以及将多个硅贯通孔中至少一者耦合接地的一个或多个导体，其中，多个硅贯通孔提供一个或多个芯片上电感器的绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 具有 贯通 孔围篱 芯片 电感器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包含：一第一半导体基材；一个或多个芯片上电感器，形成于所述第一半导体基材上；多个第一硅贯通孔，在所述一个或多个芯片上电感器的近处贯穿所述第一半导体基材；以及一个或多个导体，将所述多个第一硅贯通孔中的至少一个硅贯通孔耦合接地；其中，所述多个第一硅贯通孔提供所述一个或多个芯片上电感器的绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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