[发明专利]在电介质层上形成孔的方法有效
| 申请号： | 200810112513.6 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101587838A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 孙武;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在电介质层上形成孔的方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有电介质层，电介质层上具有图形化的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，对电介质层进行第一次等离子刻蚀，在所述电介质层上形成小于目标深度的孔；以光刻胶层为掩膜，对电介质层进行第二次等离子刻蚀，在电介质层上形成达到目标深度的孔。分别进行两次等离子刻蚀在电解质层上形成孔，可以同时避免孔在结构上粗下细的锥形化和孔结构中段粗而两端细的膛削，从而形成结构均匀、侧壁竖直的接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在电介质层上形成孔的方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有电介质层，电介质层上具有图形化的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，对电介质层进行第一次等离子刻蚀，在所述电介质层上形成小于目标深度的孔；以光刻胶层为掩膜，对电介质层进行第二次等离子刻蚀，在电介质层上形成达到目标深度的孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810112513.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
