[发明专利]一种铝碳化硅封装外壳的封接方法有效
申请号: | 200810114098.8 | 申请日: | 2008-05-30 |
公开(公告)号: | CN101293294A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 吴茂;何新波;曲选辉;孟菲菲;任淑彬 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | B23K1/008 | 分类号: | B23K1/008;B23K1/20;H01L21/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于金属材料领域,提供了一种铝碳化硅复合材料(SiCp/Al)用作封装外壳和盖板时的密封封盖方法。适用于微电子封装中混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件等微电子器件的封装外壳。本发明首先在SiCp/Al复合材料表面进行双层镀覆;再将具有表面镀层的SiCp/Al复合材料外壳与盖板用Sn基焊料焊接在一起。本发明不仅大大降低了生产成本,同时还解决SiCp/Al复合材料封接困难问题,为有关金属外壳厂广泛使用SiCp/Al复合材料作为外壳和盖板材料铺平道路。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 封装 外壳 方法 | ||
【主权项】:
1.一种铝碳化硅封装外壳的封接方法,其特征是工艺步骤如下:(1)首先在SiCp/Al复合材料表面直接化学镀Ni(P)合金,其中Ni(P)镀层的P质量百分含量为2%~12%,余量为Ni,Ni(P)镀层厚度为1.0~9.0μm;(2)在镀Ni(P)合金后的表面化学镀Ni(B)合金,其中Ni(B)镀层的B质量百分含量为0.5%~4%,余量为Ni,其厚度为0.1~8.0μm;(3)将Ni(P)/Ni(B)双镀层结构的SiCp/Al复合材料用Sn-Ag-Ni焊料钎焊,SiCp/Al复合材料外壳与盖板焊接表面是Ni(P)/Ni(B)双镀层结中间是用Sn-Ag-Ni焊料;工艺焊接条件如下:真空度为1×10-3Pa,焊接温度为240~290℃,焊接时间为2~30分钟。
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