[发明专利]TFT-LCD像素结构和液晶显示器修复断线的方法有效
| 申请号： | 200810115594.5 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101614916A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 彭志龙 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84;G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD像素结构和液晶显示器修复断线的方法。TFT-LCD像素结构包括由栅线和数据线限定的数个像素区域，每个像素区域包括薄膜晶体管和像素电极，相邻的像素区域之间形成有至少二个交叠条，所述交叠条的一端与一个像素区域中的像素电极重叠，另一端与另一个像素区域中的像素电极重叠，中部与栅线和/或数据线重叠。液晶显示器修复断线的方法包括：确定栅线断点或数据线断点的位置；采用激光焊接方法，将所述栅线断点两侧的栅线或数据线断点两侧的数据线通过交叠条和像素电极连接起来，采用激光切割方法，使所述像素电极所对应的TFT失效。本发明最大限度地降低了液晶显示器制备工艺的废弃成本。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 像素 结构 液晶显示器 修复 断线 方法 | ||
【主权项】：
1、一种TFT-LCD像素结构，包括由栅线和数据线限定的数个像素区域，每个像素区域包括薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，相邻的像素区域之间形成有至少二个交叠条，所述交叠条的一端与一个像素区域中的像素电极重叠，另一端与另一个像素区域中的像素电极重叠，中部与栅线和/或数据线重叠。
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