[发明专利]一种纳米氮化硅陶瓷粉体的制备方法无效
申请号: | 200810116673.8 | 申请日: | 2008-07-15 |
公开(公告)号: | CN101318637A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 朱鸿民;杨梅;吕明利;邱海龙 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C01B21/068 | 分类号: | C01B21/068;C04B35/584 |
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地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种纳米氮化硅陶瓷粉体的制备方法,属纳米陶瓷材料领域。选择液氨作为反应介质,以卤化硅,包括氯化硅、溴化硅、碘化硅为原料,碱金属钾或钠为还原剂,二者分别溶解于液氨,在-60℃~20℃范围发生液相还原反应,产物经过洗涤提纯、热处理过程,制备出稳定的纳米氮化硅粉体。本发明目的在于采用液氨法低温合成纳米氮化硅陶瓷粉体,简化工艺,提高性能,降低成本,利用碱金属溶解于液氨形成液相强还原剂的特性,在低温条件下制备出比表面积大,纯度高,粒径均匀的纳米氮化硅陶瓷粉体。该粉体不需要任何烧结助剂就能够在较低温度下、短时间内制备获得致密的氮化硅陶瓷体。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种纳米氮化硅陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:(1)以卤化硅,包括氯化硅、溴化硅、碘化硅为原料,碱金属钾或碱金属钠为还原剂,按照反应的摩尔配比称量,还原剂过量0~10%,在液氨介质中进行还原反应,还原温度在-60℃~20℃范围,反应方程为:3SiCl4+12M+4NH3(l)=Si3N4+12MCl+6H2(M=Na、K);(2)通过液相提纯,分离副产物,得到非晶态纳米氮化硅粉末;(3)经过热处理,转化为稳定的晶态纳米氮化硅,即Si3N4粉体。
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