[发明专利]液晶显示器阵列基板及其制造方法无效
申请号: | 200810118891.5 | 申请日: | 2008-08-26 |
公开(公告)号: | CN101661198A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 邱海军;王章涛;闵泰烨 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84;G03F7/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 曲 鹏 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种液晶显示器阵列基板及其制造方法。制造方法包括:在基板上形成包括栅线、栅电极和有源层的结构图形;形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形,其中所述数据线的两侧为防止静电聚集的斜坡状或阶梯状;形成钝化层图形;形成像素电极图形的同时,在封框胶区域内形成防静电电极图形。本发明通过将数据线两侧设置成防止静电聚集的斜坡状或阶梯状,有效分散了数据线边角可能引起的静电释放,同时在封框胶区域形成防静电电极,降低了金球表面静电累积的密度,因此可以避免数据线与金球之间的静电释放,有效防止数据线和金球之间短路造成的亮线不良缺陷。 | ||
搜索关键词: | 液晶显示器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种液晶显示器阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:步骤11、在基板上形成包括栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和钝化层的结构图形;步骤12、在完成步骤11的基板上形成像素电极图形的同时,在封框胶区域内形成防静电电极图形。
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