[发明专利]一种磷化镓多晶合成方法有效
| 申请号： | 200810118931.6 | 申请日： | 2008-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101660207A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 王文山;王琦;俞斌才;林泉 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/44 | 分类号： | C30B29/44 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱丽华 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磷化镓多晶合成方法，包括：合成炉室内充入氮气后加热，并使炉内氮气压力维持在20～30巴；磷炉升温至480～520℃，后炉升温至700～800℃，感应线圈中电流上升到40～150A且频率调制到10～20KHz，感应区域升温；以6.5厘米/小时的速度在感应线圈内移动石英反应管，同时以10～35℃/小时的升温速率对磷炉升温，实施磷化镓合成过程；磷化镓合成过程结束后，感应线圈频率缓慢从最高值降低到零，合成炉室卸压。本发明磷化镓多晶合成方法采用中高频加热方式合成磷化镓，极大减少了磷化镓多晶合成过程中的炸管次数，提高了磷化镓多晶的出炉率和质量，不易产生电极打火现象，也不会产生强电磁辐射，不会影响人体健康。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 多晶 合成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磷化镓多晶合成方法，其特征在于：它包括步骤：步骤1：在合成炉室内充入氮气5～10巴后加热，并使合成炉室内氮气的压力维持在20～30巴的范围内；步骤2：将磷炉升温至480～520℃的范围内，将后炉升温至700～800℃的范围内，将感应线圈中通入的电流上升到40～150A的范围内且频率调制到10～20KHz的范围内，以使感应区域升温；步骤3：确认磷炉、后炉的温度升到设定温度范围内并稳定，以及感应线圈中的电流及其频率达到设定范围内并稳定后，以6.5厘米/小时的速度在感应线圈内移动石英反应管，同时以10～35℃/小时的升温速率对磷炉进行升温，以实施磷化镓的合成过程；步骤4：经过4小时的磷化镓合成过程后，缓慢将感应线圈频率从最高值降低到零，将合成炉室卸压。
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