[发明专利]一种透明导电膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810119982.0 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101430944A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张云龙;徐健;程云立;承高建 | 申请（专利权）人： | 北京东方新材科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041;G02F1/133;C23C14/06;C23C14/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100085北京市海淀区上地*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：(1)在透明基板上用有机材料形成图案；(2)开启气相沉积源，在该基板上以物理气相沉积方式沉积一层透明导电膜；(3)开启气相沉积源，在透明导电膜上以物理气相沉积方式沉积一层透明保护膜；(4)将该基板上的有机材料以及其上的透明导电膜和透明保护膜去除。本发明在制备透明导电膜之后随即沉积一层保护膜，因此在沉积保护膜之前透明导电膜并未暴露于空气而氧化。保护膜不仅能较好的防止或减缓透明导电膜的氧化，同时因其具有较高的硬度而具有防划功能、具有较低的折射率而具有减反功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：(a)在透明基板上用有机材料形成图案，其中欲形成透明导电膜处无有机材料，不欲形成透明导电膜处有有机材料；(b)开启气相沉积源，在该基板上以物理气相沉积方式沉积一层透明导电膜；(c)开启气相沉积源，在(b)沉积的透明导电膜上以物理气相沉积方式沉积一层透明保护膜；(d)对该基板进行脱膜处理，即将基板上的有机材料以及其上的透明导电膜和透明保护膜去除。
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