[发明专利]基片处理装置有效
申请号: | 200810125152.9 | 申请日: | 2008-06-12 |
公开(公告)号: | CN101329997A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 吴昌石 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 上海恩田旭诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 尹洪波 |
地址: | 韩国忠南天*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 用于在半导体基片上进行涂层、烘烤和显影处理的基片处理装置中,第一处理区块在基片上进行涂层处理和显影处理。第二处理区块与第一处理区块相对,用以对基片作热处理。第一处理区块包括上单元区块、中间单元区块和下单元区块。上、下单元区块各包括至少一用于在基片上形成层的涂层单元以及至少一用于在基片上显影光致抗蚀剂层的显影单元。中间单元区块可拆卸地位于上、下单元区块之间,且包括涂层单元和显影单元中的至少之一。中间单元区块的结构可根据工艺方案变化,以提高基片处理装置的处理能力。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基片处理装置,包括:在基片上进行涂层处理和显影处理的第一处理区块;和与所述第一处理区块相对的第二处理区块,用于对所述基片进行热处理;所述第一处理区块包括:上单元区块,其包括,至少一个在所述基片上形成层的涂层单元和至少一个在所述基片上显影光致抗蚀剂层的显影单元中的一个;下单元区块,其包括,至少一个涂层单元和至少一个显影单元中的另一个;及可拆卸地位于所述上、下单元区块之间的中间单元区块,其包括涂层单元和显影单元中的至少一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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