[发明专利]静电放电保护装置有效

专利信息
申请号: 200810125814.2 申请日: 2008-01-23
公开(公告)号: CN101290933A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 姜明坤;宋基焕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/04;H01L23/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种包括输入/输出端结构和电流放电结构的静电放电(ESD)保护装置。该电流放电结构包括通过栅极电极与桥接区分离的导电区,形成在该导电区下面的阱区,通过另一个导电区与该阱区分离的另一个阱区,和通过另一个阱区实施双电流放电路径的多个附加的导电区。
搜索关键词: 静电 放电 保护装置
【主权项】:
1.一种形成在第一导电型(FCT)衬底中的静电放电保护装置,并且包括:输入/输出端结构,其包括:形成在所述衬底中的第二导电型(SCT)的第一阱区;形成在所述第一阱区中的第一SCT区和形成在所述第一阱区中并与所述第一SCT区隔开的第一FCT区,所述第一SCT区和所述第一FCT区连接到输入/输出端;和形成为与所述第一阱区和所述衬底相接触的SCT的桥接区;电流放电结构,其包括:形成在所述衬底中并通过栅极电极与所述桥接区分离的第二SCT区;形成在所述第二SCT区下面的衬底中的SCT区的第二阱区;形成在所述衬底中并通过形成在所述衬底中的第二FCT区与所述第二阱区分离的SCT的第三阱区;被分隔开并形成在所述第三阱区中的第三SCT区、第三FCT区和第四SCT区;和形成在与所述第二FCT区相对的第三阱区的一侧上的衬底中的第四FCT区。
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