[发明专利]静电放电保护装置有效
申请号: | 200810125814.2 | 申请日: | 2008-01-23 |
公开(公告)号: | CN101290933A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 姜明坤;宋基焕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/04;H01L23/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种包括输入/输出端结构和电流放电结构的静电放电(ESD)保护装置。该电流放电结构包括通过栅极电极与桥接区分离的导电区,形成在该导电区下面的阱区,通过另一个导电区与该阱区分离的另一个阱区,和通过另一个阱区实施双电流放电路径的多个附加的导电区。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】:
1.一种形成在第一导电型(FCT)衬底中的静电放电保护装置,并且包括:输入/输出端结构,其包括:形成在所述衬底中的第二导电型(SCT)的第一阱区;形成在所述第一阱区中的第一SCT区和形成在所述第一阱区中并与所述第一SCT区隔开的第一FCT区,所述第一SCT区和所述第一FCT区连接到输入/输出端;和形成为与所述第一阱区和所述衬底相接触的SCT的桥接区;电流放电结构,其包括:形成在所述衬底中并通过栅极电极与所述桥接区分离的第二SCT区;形成在所述第二SCT区下面的衬底中的SCT区的第二阱区;形成在所述衬底中并通过形成在所述衬底中的第二FCT区与所述第二阱区分离的SCT的第三阱区;被分隔开并形成在所述第三阱区中的第三SCT区、第三FCT区和第四SCT区;和形成在与所述第二FCT区相对的第三阱区的一侧上的衬底中的第四FCT区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的