[发明专利]NOR闪存装置及制造该装置的方法

摘要

一种具有后段工艺(BEOL)结构的NOR闪存装置，该BEOL结构包括：具有导电区域的衬底，在衬底上形成的第一金属间电介质层，在导电区域上形成的第一金属线，在第一金属线和第一金属间电介质上形成的第二金属间电介质层，延伸通过第二金属间电介质层的第一接触部，以及通过第一接触部连接至第一金属线的第二金属线。第一接触部和第一及第二金属线中的至少一个是由铜组成的，并且第一和第二金属间电介质层中的至少一个是由低电介质材料组成的。铜金属线和由低k(k＝3.0)材料组成的金属间电介质层的使用使得时间常数延迟改善40％或更多成为可能。

主权项

1.一种设备，包括：衬底，具有导电区域；第一金属间电介质层，在所述衬底上形成；第一金属线，在所述导电区域上形成；第二金属间电介质层，在所述第一金属线和所述第一金属间电介质上形成；第一接触部，延伸通过所述第二金属间电介质层；以及第二金属线，通过所述第一接触连接至所述第一金属线，其中，所述第一接触和所述第一及第二金属线中的至少一个是由铜组成的，并且所述第一和第二金属间电介质层中的至少一个是由低电介质材料组成的。