[发明专利]超大尺寸集成电路的准确寄生电容取得有效
| 申请号： | 200810126246.8 | 申请日： | 2008-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101369290A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 苏哿颖;何嘉铭;张广兴;陈建文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种取得集成电路内寄生接触/介层电容的系统及方法。使用本系统的寄生取得考虑实际接触/介层形状及尺寸变化，可导致接触/介层寄生电容取得的准确性改善。各种实施例的相同特征为包含产生一技术档案之步骤，其中电容表中的接触/介层电容由一有效接触/介层宽度表导出。校准此有效接触/介层宽度表的每一要素，以具有与IC中一实际接触/介层结构的寄生电容匹配的一寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 超大 尺寸 集成电路 准确 寄生 电容 取得 | ||
【主权项】：
1.一种电子地产生一技术档案以取得集成电路布局中寄生电容的方法，所述方法包含以下步骤：提供具有实质相似尺寸且不同接触/介层结构的多个接触/介层电容测试结构；量测在所述多个接触/介层电容测试结构上的寄生接触/介层电容；创造一有效接触/介层宽度表，其中所述表的每一要素相对应一多边形接触/介层，且具有一计算的寄生电容，其匹配所述多个接触/介层电容测试结构其中之一的寄生电容；以及产生对应所述有效接触/介层宽度表的一电容表。
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