[发明专利]制造闪速存储器件的方法无效
| 申请号： | 200810127816.5 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101335246A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 任贤珠 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造闪速存储器件的方法，其防止在形成层间介电薄膜时产生空隙。该方法可以包括在半导体衬底上形成栅极，然后在该半导体衬底上顺序地堆叠第一介电薄膜和第二介电薄膜，然后通过进行第一蚀刻过程在所述栅极侧壁上形成包括第一介电薄膜图案和第二介电薄膜图案的第一隔离体，然后在该半导体衬底中形成源区和漏区，然后去除该第二介电薄膜，然后在该半导体衬底上顺序地堆叠第三电质薄膜和第四介电薄膜，然后通过进行第二蚀刻过程在栅极侧壁上形成包括第一介质图案和第三介质图案的第二隔离体，然后在包括栅极和第二隔离体的半导体衬底上形成层间介电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体衬底上形成栅极；然后在所述半导体衬底上顺序地堆叠第一介电薄膜和第二介电薄膜；然后通过进行第一蚀刻过程在所述栅极的侧壁上形成包括第一介电薄膜图案和第二介电薄膜图案的第一隔离体；然后在所述半导体衬底中形成源区和漏区；然后除去所述第二介电薄膜；然后在所述半导体衬底上顺序地堆叠第三介电薄膜和第四介电薄膜；然后通过进行第二蚀刻过程在所述栅极的所述侧壁上形成包括第一介电图案和第三介电图案的第二隔离体；然后在包括所述栅极和所述第二隔离体的所述半导体衬底上形成层间介电薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
