[发明专利]导体图案的形成方法无效
| 申请号： | 200810128858.0 | 申请日： | 2008-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101609808A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 谢荣源;陈泳卿 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种导体图案的形成方法，包括下列步骤。首先，在基底上形成第一导体层。接着，在第一导体层上形成图案化硬掩模层。然后，以图案化硬掩模层为掩模，移除部分第一导体层，以暴露出部分基底。接下来，在基底上形成介电层，且介电层覆盖图案化硬掩模层。之后，移除部分介电层，以暴露出图案化硬掩模层。再者，移除图案化硬掩模层，以在介电层中形成开口。继之，在开口中形成第二导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导体图案的形成方法，包括：在一基底上形成一第一导体层；在该第一导体层上形成一图案化硬掩模层；以该图案化硬掩模层为掩模，移除部分该第一导体层，以暴露出部分该基底；在该基底上形成一介电层，且该介电层覆盖该图案化硬掩模层；移除部分该介电层，以暴露出该图案化硬掩模层；移除该图案化硬掩模层，以在该介电层中形成一开口；以及在该开口中形成一第二导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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