[发明专利]电子设备及其制造方法和半导体装置有效

专利信息
申请号: 200810130149.6 申请日: 2008-07-30
公开(公告)号: CN101359638A 公开(公告)日: 2009-02-04
发明(设计)人: 田中秀一;伊东春树 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L23/482 分类号: H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置,目的在于即使在分别排列于1对区域的端子的数量不同的情况下,也能使树脂突起的变形量的差较小。半导体装置具有:按照从多个第1电极(14)上到第1树脂突起(20)上为止的方式形成的多个即n1个第1布线(28);和按照从多个第2电极(16)上到第2树脂突起(22)上为止的方式形成的多个即n2(n2<n1)个第2布线(30)。第1树脂突起(20)和第2树脂突起(22)由相同的材料构成,形成为以相同的宽度沿着长边方向延伸的形状。第1布线(28)按照和第1树脂突起(20)的长轴交叉的方式延伸,在第1树脂突起(20)上有第1宽度W1。第2布线(30)按照和第2树脂突起(22)的长轴交叉的方式延伸,在第2树脂突起(22)上有第2宽度W2(W1<W2)。有W1×n1=W2×n2的关系。
搜索关键词: 电子设备 及其 制造 方法 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,具有:形成有集成电路的半导体基板;按照与所述集成电路电连接的方式形成于所述半导体基板上的多个第1电极和多个第2电极;在所述半导体基板的面上由穿过中心的直线分割成2个区域的第1和第2区域中的所述第1区域配置的至少1个第1树脂突起;配置于所述第2区域的至少1个第2树脂突起;按照从所述多个第1电极上到所述第1树脂突起上为止的方式形成的多个即n1个第1布线,其中n为大于1的整数;和按照从所述多个第2电极上到所述第2树脂突起上为止的方式形成的多个即n2个第2布线,其中n2<n1;所述第1树脂突起和所述第2树脂突起由相同材料构成,形成为以相同的宽度沿着长边方向延伸的形状;各个所述第1布线按照和所述第1树脂突起的长轴交叉的方式延伸,在所述第1树脂突起上有第1宽度W1;各个所述第2布线按照和所述第2树脂突起的长轴交叉的方式延伸,在所述第2树脂突起上有第2宽度W2,其中W1<W2;有W1×n1=W2×n2的关系。
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