[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810130304.4 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101345218A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 服部孝司;波多野睦子 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立显示器 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12;G02F1/136;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种采用转印方式在树脂基板上形成TFT的方法，所述方法不需降低操作温度，可以使用现有的生产线，同时能够抑制成本。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：在支承基板的上层形成树脂膜(a)的工序、在树脂膜(a)的上层形成半导体元件的工序、和从形成有半导体元件的树脂膜(a)上剥离支承基板的工序，其中，树脂膜(a)的膜厚为1μm以上30μm以下，波长400nm以上800nm以下的可见光的透过率为80％以上，重量减少3％的温度为300℃以上，熔点为280℃以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：在支承基板的上层形成树脂膜(a)的工序；在树脂膜(a)的上层形成半导体元件的工序；从形成了半导体元件的树脂膜(a)剥离支承基板的工序，其中，树脂膜(a)的膜厚为1μm以上30μm以下，波长400nm以上800nm以下的可见光的透过率为80％以上，重量减少3％的温度为300℃以上，熔点为280℃以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立显示器，未经株式会社日立显示器许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810130304.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
