[发明专利]AlxGayIn1－x－yN衬底及其清洗方法,AIN衬底及其清洗方法有效
| 申请号： | 200810130622.0 | 申请日： | 2005-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN101312164A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 上村智喜;石桥惠二;藤原伸介;中幡英章 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/306;C30B33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。 | ||
| 搜索关键词： | al sub ga in 衬底 及其 清洗 方法 ain | ||
【主权项】：
1、一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的所述AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面的光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例(C1s电子峰面积/N1s电子峰面积)至多为3。
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