[发明专利]高反射率发光二极管芯片反射灯罩的制造方法无效
| 申请号： | 200810130642.8 | 申请日： | 2008-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101403482A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 许文义;许书郁;许书熙 | 申请（专利权）人： | 强宇企业股份有限公司 |
| 主分类号： | F21V7/10 | 分类号： | F21V7/10;F21V7/22;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种高反射率发光二极管芯片反射灯罩的制造方法。在反射罩内的基板上以磁性物质遮蔽物吸附于基板上以遮蔽一对金属接触垫再进行真空镀膜及其后处理。本发明的制造方法可以达到反射灯罩具有高光反射率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 反射率 发光二极管 芯片 反射 灯罩 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片反射灯罩的制造方法，所述的方法至少包含下列步骤：提供一基板，基板上有一反射灯罩，所述的反射灯罩内基板表面上具有至少一金属接触对；提供一具导磁特性的遮蔽物体；将所述的导磁遮蔽物体置入所述的反射灯罩内的所述的基板上以遮盖所述的金属接触对；置另一磁铁或电磁铁于所述的基板下方，用以固定所述的遮蔽物；进行真空镀膜步骤以形成一金属膜于所述的反射灯罩上；及移除所述的遮蔽物。
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