[发明专利]半导体芯片器件及其制造方法和包括其的堆叠封装无效
| 申请号： | 200810130739.9 | 申请日： | 2008-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101345231A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李玟炯;郑伍珍 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L25/00;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体芯片，可包括：晶片，在晶片上形成的半导体器件，在晶片和半导体器件上形成的第一介电层，在第一介电层上形成的第一金属互连，在第一介电层和下部互连上形成的第二介电层，以及在第二介电层上形成的第三介电层，可在第三介电层中形成的第二金属互连，在第三介电层和第一金属互连上形成的第一氮化物层，延伸穿过晶片、第一介电层、第二介电层、第三介电层和第一氮化物层的通孔，在通孔中形成的插塞，以及在第一氧化物层、插塞的暴露的上部末端以及第二金属互连上形成的第三金属互连。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 器件 及其 制造 方法 包括 堆叠 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，包括：晶片；在所述晶片上形成的半导体器件；在所述晶片和所述半导体器件上形成的第一介电层；在所述第一介电层上形成的第一金属互连；在所述第一介电层和所述第一金属互连上形成的第二介电层；在所述第二介电层上形成的第三介电层；在所述第三介电层中形成的并具有暴露的最上表面的第二金属互连；在所述第三介电层和所述第二金属互连上形成的第一氮化物层，所述第一保护层具有暴露所述第二金属互连的一部分的第一孔；延伸穿过所述晶片、所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层和所述第一氮化物层的通孔；在所述通孔中形成的插塞，所述插塞具有暴露的下部末端和暴露的上部末端；和在所述插塞的暴露的上部末端以及通过所述第一孔和第二孔暴露的所述第二金属互连上形成的第三金属互连。
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