[发明专利]非易失性半导体存储器件无效
| 申请号： | 200810130845.7 | 申请日： | 2008-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101373633A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 有金刚;久本大;岛本泰洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/14;H01L27/115;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性半导体存储器件。使构成存储器单元的栅电极为浮置状态，使相邻的其他栅电极的电位发生变化，利用该变化和电容耦合比对栅电极的电位进行降压。例如还将栅电极和其他栅电极连接而进行电荷共享，然后，利用与相邻的其他栅电极的电容耦合对另外的栅电极进行降压，从而能够将另外的栅电极的电位降压较大。由此，能够降低电荷泵电路的发生电压电平。其结果是能减小电荷泵电路的规模或不需要该电路本身，能缩小芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器件，其特征在于，具有:半导体衬底；形成于上述半导体衬底上的第一电荷存储膜；形成于上述第一电荷存储膜上的第一栅电极；与上述第一栅电极相邻而形成的第二栅电极；以及用于控制上述第一栅电极和上述第二栅电极的电位的控制电路，在进行与存储于上述第一电荷存储膜上的电荷量对应的数据的擦除动作时，上述控制电路进行工作，以向上述第一栅电极供给第一电位、向上述第二栅电极供给第二电位，其后，上述控制电路进行工作，以使上述第一栅电极成为浮置状态，其后，为使上述第一栅电极的电位从上述第一电位变为低于上述第一电位的负的第三电位，上述控制电路进行工作，以向上述第二栅电极供给低于上述第二电位的第四电位。
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